特許
J-GLOBAL ID:200903007794728682
検査方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古谷 史旺 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-083406
公開番号(公開出願番号):特開2000-277577
出願日: 1999年03月26日
公開日(公表日): 2000年10月06日
要約:
【要約】【課題】 電子ビームを用い、集積回路が形成された試料の表面層を非破壊で高速に検査可能な検査方法を提供する。【解決手段】 試料に対して面状の電子ビームを照射する工程と、試料から発生する二次ビームを所定面に結像させる工程とを有し、二次ビームを所定面に結像させる結像条件が、電子ビームの照射による表面層の帯電状態に応じて異なると共に、該帯電状態が前記表面層の物理特性に対応することに基づいて、表面層の構造および材質の少なくとも一方を判別する。
請求項(抜粋):
試料の表面層を検査する検査方法であって、前記試料に対して面状の電子ビームを照射する工程と、前記試料から発生する二次ビームを所定面に結像させる工程とを有し、前記二次ビームを前記所定面に結像させる結像条件が、前記電子ビームの照射による前記表面層の帯電状態に応じて異なると共に、該帯電状態が前記表面層の物理特性に対応することに基づいて、前記表面層の構造および材質の少なくとも一方を判別することを特徴とする検査方法。
IPC (3件):
H01L 21/66
, G01R 31/302
, H01J 37/29
FI (3件):
H01L 21/66 J
, H01J 37/29
, G01R 31/28 L
Fターム (36件):
2G032AF08
, 4M106AA01
, 4M106AA20
, 4M106BA02
, 4M106CB21
, 4M106DH12
, 4M106DH24
, 4M106DH33
, 4M106DH37
, 4M106DH38
, 4M106DH60
, 4M106DJ04
, 4M106DJ18
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
, 4M106DJ24
, 9A001BB01
, 9A001BB03
, 9A001BB04
, 9A001BB05
, 9A001EE05
, 9A001HH21
, 9A001HH23
, 9A001HH24
, 9A001HH27
, 9A001HH28
, 9A001HH34
, 9A001KK15
, 9A001KK16
, 9A001KK31
, 9A001KK35
, 9A001KK36
, 9A001KK37
, 9A001KK42
, 9A001LL02
, 9A001LL05
引用特許:
前のページに戻る