特許
J-GLOBAL ID：200903007797936251
NチャネルMOSFETの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266567
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251695
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 基板表面の不純物濃度を極力少なくし、かつ、閾値電圧の調整と短チャネル効果の発生とを、従来技術と同等なNチャネルMOSFETの形成で行うことができ、しかも高速化、高集積化が可能なNチャネルMOSFETの製造方法を得る。【構成】 アクティブ領域を形成後、酸化膜13を生成し、Si-SiO2界面にプロファイルのピークがくるよう飛程距離を設定して、BF+ の閾値電圧コントロールイオン注入を行なう。その後、酸化膜13を除去し、低温エピタキシャル成長により、シリコンをアクティブ領域に形成する。この工程をとることにより、ゲート下の浅い部分の不純物濃度は非常に低く、さらに深い部分では不純物濃度が高いプロファイルの形成を行なう。
請求項（抜粋）：
(a)フィールド領域とアクティブ領域を形成し、(b)該アクティブ領域に酸化膜を生成し、(c)閾値電圧コントロールイオン注入をその飛程距離を前記酸化膜の膜厚に合わせて行い、(d)前記酸化膜を除去し、(e)シリコンを低温エピタキシャル成長させ、(f)低温で、ウェットO2 雰囲気中でゲート酸化膜を生成し、(g)ポリシリコン膜を生成し、フォトリソエッチングによりゲートを生成し、(h)ソース・ドレインイオン注入を行い、ソース・ドレイン層を低温の熱処理により形成することを特徴とするNチャネルMOSFETの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 H
, H01L 21/265 W
