特許
J-GLOBAL ID：200903007817744273
半導体デバイスの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014477
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263747
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 複雑な再成長や精密な処理を伴わずに所望の屈折率段差が得られ、平面構造をなす半導体発光デバイスを製造する。【構成】 基板上にIn及びPを含む族から選択される元素を含む酸化防止III-V族半導体材料からなる第1の層を形成する工程と、前記第1の層の上にAl含有III -V族半導体材料からなる第2の層を形成する工程と、接触層から前記第1の層への電気的接続を形成する工程とから構成されるとともに、更に酸化条件下にある前記第2の層の少なくとも1つの選択領域を酸化し、かつ酸化物が前記第1と第2の層の界面まで延びるように形成する副工程と、前記第2の層の非酸化領域を残して前記接触層からの電気的接続を行なう副工程とを含む。
請求項（抜粋）：
基板を設ける工程と、周期表においてインジウム及びリンを含む族から選択される元素を含む酸化防止III -V族半導体材料からなる第1の層を形成する工程と、前記第1の層の上にアルミニウムを含有するIII -V族半導体材料からなる第2の層を形成して前記第1と第2の層の界面を形成する工程と、接触層から前記第1の層への電気的接続を形成する工程とから構成されるとともに、これらの工程に、酸化条件下にある前記第2の層の少なくとも1つの選択領域を酸化し、かつそれによる酸化物が前記第1と第2の層の前記界面まで延びるように形成する副工程と、更に、前記第2の層の非酸化領域を残し、かつ前記接触層からの電気的接続を前記非酸化領域を介して行う副工程とを含むことを特徴とする半導体デバイスの製作方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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