導電性組成物ならびにこれを用いて得られる導電膜および半導体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡辺望稔 , 三和晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-048136
公開番号（公開出願番号）：特開2009-205970
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】導電性に優れる膜となることができ、熱的安定性に優れる導電性組成物の提供、および導電性に優れる導電膜の提供。【解決手段】共役系導電性高分子と、アニオンがトリフルオロメタンスルホニル基を有する塩とを含有する導電性組成物、ならびにこれを用いて得られる導電膜および半導体。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

共役系導電性高分子と、アニオンがトリフルオロメタンスルホニル基を有する塩とを含有する導電性組成物。

IPC (6件)：

H01B 1/12 , H01B 5/14 , C08K 5/42 , C08L 101/12 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (7件)：

H01B1/12 F , H01B5/14 Z , C08K5/42 , C08L101/12 , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A , H01L29/28 250G

Fターム (7件)：

4J002BM001 , 4J002CE001 , 4J002CM011 , 4J002EV216 , 4J002FD116 , 4J002GQ02 , 5G307GA05

引用特許：

出願人引用 (6件)

低温で導電性ポリチオフェン層を形成するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-322544 出願人：アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
導電性薄膜及びそれを用いたフレキシブル部材
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-283773 出願人：日本航空電子工業株式会社
導電性高分子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-053147 出願人：三菱化学株式会社

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審査官引用 (4件)

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