特許
J-GLOBAL ID：200903007834245310
レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-171413
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344909
出願日： 2005年06月10日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】 パルスレーザを用いたアニール方法を発展させ、欠陥の発生を抑制することが可能なアニールに用いられるレーザ照射装置を提供する。【解決手段】 第1及び第2のパルスレーザ光源が、それぞれ第1及び第2のパルスレーザビームを出射する。ステージが、アニール対象物を保持する。伝搬光学系が、第1及び第2のパルスレーザビームを共通の経路に沿って伝搬させ、ステージに保持されたアニール対象物に入射させる。第1及び第2のパルスレーザビームの入射位置が、アニール対象物の表面上を移動するように、移動機構が、第1及び第2のパルスレーザビームの伝搬経路及びアニール対象物の少なくとも一方を他方に対して移動させる。第1のパルスレーザ光源が、第1の周波数で発振し、第2のパルスレーザ光源が、第1の周波数の2倍以上の整数倍の第2の周波数で発振するように、制御装置が、第1及び第2のパルスレーザ光源を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1及び第2のパルスレーザビームをそれぞれ出射する第1及び第2のパルスレーザ光源と、
アニール対象物を保持するステージと、
前記第1及び第2のパルスレーザビームを共通の経路に沿って伝搬させ、前記ステージに保持されたアニール対象物に入射させる伝搬光学系と、
前記第1及び第2のパルスレーザビームの入射位置が、前記アニール対象物の表面上を移動するように、前記第1及び第2のパルスレーザビームの伝搬経路及び前記アニール対象物の少なくとも一方を他方に対して移動させる移動機構と、
前記第1のパルスレーザ光源が、第1の周波数で発振し、前記第2のパルスレーザ光源が、前記第1の周波数の2倍以上の整数倍の第2の周波数で発振するように前記第1及び第2のパルスレーザ光源を制御する制御装置と
を有するレーザ照射装置。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, B23K 26/00
, H01L 21/265
H01L21/268 J
, B23K26/00 N
, H01L21/265 602C
, H01L21/265 F
, H01L21/265 Q
4E068AA05
, 4E068AH00
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CE02
