特許

J-GLOBAL ID：200903083138009112

半導体装置の製造方法及びレーザアニーリング装置

発明者： 工藤 利雄
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314737
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152888
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】レーザ照射による結晶へのダメージを小さくすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる。アモルファス化された領域に不純物を注入する。半導体基板の表面温度が、半導体基板の表層部を構成するアモルファス半導体の融点を超えない条件で、半導体基板の表面にパルスレーザビームを入射させて、注入された不純物を活性化させる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる工程と、 アモルファス化された領域に不純物を注入する工程と、 該半導体基板の表面温度が、該半導体基板の表層部を構成するアモルファス半導体の融点を超えない条件で、前記半導体基板の表面にパルスレーザビームを入射させて、注入された前記不純物を活性化させる工程と を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/265 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

FI (3件)：

H01L21/265 602C ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 J

Fターム (11件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA01 ,  5F052FA05 ,  5F052HA01 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-251607   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-024468   出願人：富士通株式会社
• 特開昭57-068014
  
• 特開平3-163822