特許

J-GLOBAL ID：200903007845328188

研磨用スラリーおよび半導体装置の製造方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133584
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330262
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 有機系樹脂による層間絶縁膜の平坦化に好適な研磨用スラリーと、これを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。【構成】 半導体装置の層間絶縁膜を研磨により平坦化する際に用いられる研磨用スラリーであり、非水分散媒中に水溶性無機化合物微粒子が分散されてなる研磨用スラリー。表面に段差部を形成してなる基体13上に、有機系樹脂を用いて段差部を覆って基体13上に層間絶縁膜14を形成する工程と、層間絶縁膜14を研磨用スラリーを用いて研磨することにより平坦化する工程とを備えてなる半導体装置の製造方法である。研磨用スラリーとして、非水分散媒中に水溶性無機化合物微粒子が分散されてなるスラリーを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の層間絶縁膜を研磨により平坦化する際に用いられる研磨用スラリーであって、非水分散媒中に水溶性無機化合物微粒子が分散されてなることを特徴とする研磨用スラリー。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (6件)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 Z ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭49-076470
  
• 絶縁膜の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-078762   出願人：川崎製鉄株式会社