特許
J-GLOBAL ID：200903007864541798
超電導素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033250
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232641
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 傾斜型の超電導素子において、出力電圧の向上を図ると共に、接合特性のばらつきや変動を抑制する。【解決手段】 基板11上に、REBa2 Cu3 O7-δ(REはPrを除く希土類元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、δは 0.0≦δ≦ 0.5を満足する数である)で実質的に表される組成を有し、その単位格子のc軸が基板面11aと平行になるように形成された酸化物超電導体薄膜を下部超電導電極12とすると共に、この下部超電導電極12の端部に基板面11aと角度αを成す傾斜端面12aを形成し、この傾斜端面12a上に酸化物材料からなるバリア層14と、REBa2 Cu3 O7-δで実質的に組成が表される上部超電導電極15とを順に積層形成して、超電導素子を構成する。
請求項（抜粋）：
基板と、REBa2 Cu3 O7-δ(ただし、REはPrを除く希土類元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を、δは 0〜 0.5の数を示す)で実質的に表される組成を有し、その単位格子のc軸が基板面と略平行になるように、前記基板上に形成された酸化物超電導体薄膜からなり、前記基板面に対して傾斜された端面を有する下部超電導電極と、前記下部超電導電極の傾斜された端面を少なくとも覆うように形成された酸化物材料からなるバリア層と、前記バリア層上に形成され、前記REBa2 Cu3 O7-δで実質的に表される組成を有する酸化物超電導体薄膜からなる上部超電導電極とを具備することを特徴とする超電導素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
H01L 39/22 ZAA A
, H01L 39/24 ZAA J
