特許
J-GLOBAL ID：200903058802486581
超伝導体-絶縁体-超伝導体のジョセフソントンネル接合およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231734
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181365
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】平面配向されたa-軸の垂直YBCO薄膜と絶縁薄膜とを使用し、傾いた角の構造を採択して、優秀な接合特性が得られる平面形のS-I-Sジョセフソントンネル接合およびその製造方法を提供する。【解決手段】ペロブスカイト結晶構造を有する単結晶にバッファー層2として100nmの厚さのb-軸と垂直のYBCO薄膜が蒸着された基板1と、その基板1の上に形成された超伝導体-絶縁体-超伝導体の三層接合で構成されるもので、該三層接合においては、下部電極3と上部電極6がa-軸と垂直のYBCO超伝導薄膜から構成され、障壁層5がこれらの二つの超伝導電極層の間に2〜5nm厚さの絶縁薄膜から構成され、接合部4の傾斜角が30°〜70°に傾いた構成を有する。
請求項（抜粋）：
超伝導体-絶縁体-超伝導体ジョセフソントンネル接合の製造方法において、パルスレーザー蒸着器の基板加熱台に高温超伝導薄膜が成長する酸化物単結晶基板を銀接着剤で付着させる第1過程と、パルスレーザー蒸着法でPBCOバッファー層を蒸着する第2過程と、蒸着されたPBCOバッファー層の上にパルスレーザー蒸着法でa-軸と垂直のYBCO下部電極を蒸着する第3過程と、アルゴンイオンビームの入射角を30°〜70°中のある角度にして乾式エッチングする第4過程と、エッチングされたa-軸と垂直のYBCO下部電極の上にパルスレーザー蒸着法で絶縁膜を蒸着する第5過程と、連続的にa-軸と垂直のYBCO上部電極を蒸着する第6過程と、前記第5過程で蒸着された層と前記第6過程で蒸着された層とを乾式エッチングする第7過程とを含むことを特徴とする超伝導体-絶縁体-超伝導体ジョセフソントンネル接合の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
H01L 39/22 ZAA A
, H01L 39/24 ZAA C
