特許
J-GLOBAL ID：200903007874572136

オプトエレクトロニクスデバイス

発明者：
ブラッフズ、ジェレミー、ヘンリー

ブラッフズ、ジェレミー、ヘンリー について

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カーター、ジュリアン、チャールズ

カーター、ジュリアン、チャールズ について

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ガンナー、アレク、ゴードン

ガンナー、アレク、ゴードン について

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ヒークス、ステファン、カール

ヒークス、ステファン、カール について

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ミラルド、イアン、ステファン

ミラルド、イアン、ステファン について


出願人/特許権者：
ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド

ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド について


代理人 (1件)： 千葉 剛宏 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-599086
公開番号（公開出願番号）：特表2002-536813
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2002年10月29日
要約：
【要約】アノード電極(10)と、カソード電極(11)と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に介在された光電気的に活性な領域(12)とを備えるオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記カソード電極は、仕事関数が3.5eV以下の材料を含有する第1層(15)と、前記第1層とは組成が異なりかつ仕事関数が3.5eV以下の別の材料を含有するとともに、前記第1層よりも光電気的に活性な前記領域から離間した第2層(16)と、仕事関数が3.5eV以上の材料を含有するとともに、前記第1層よりも光電気的に活性な前記領域から離間した第3層(17)とを有する。
請求項（抜粋）：
アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に介在された光電気的に活性な領域とを備えるオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、 前記カソード電極は、 仕事関数が3.5eV以下の材料を含有する第1層と、 前記第1層とは組成が異なりかつ仕事関数が3.5eV以下の別の材料を含有するとともに、前記第1層よりも光電気的に活性な前記領域から離間した第2層と、 仕事関数が3.5eV以上の材料を含有するとともに、前記第1層よりも光電気的に活性な前記領域から離間した第3層と、 を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
IPC (3件)：
H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (3件)：
H05B 33/26 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (4件)：
3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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