特許

J-GLOBAL ID：200903007915321453

配線接続構造およびその形成方法

発明者： 二瓶 瑞久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-289720
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108210
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】 配線上に良好なカーボンナノチューブを形成する。【解決手段】 下層Cu配線1上にMoを堆積して接続層2を形成し、この接続層2上にCVD法を用いてカーボンナノチューブ6を成長させる。Moからなる接続層2を形成することにより、カーボンナノチューブ6を成長させるCVDの際に熱が加えられても、下層Cu配線1からのCuの熱拡散が抑制され、触媒金属5の活性低下が抑えられる。さらに、Moはカーボンナノチューブ6との間の接触抵抗が低いため、下層Cu配線1との低抵抗接続を確保しつつ、良好なカーボンナノチューブ6を形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

配線に炭素元素円筒型構造体が電気的に接続された配線接続構造において、 前記配線上に、導電性を有する接続層を介して、前記炭素元素円筒型構造体が形成されていることを特徴とする配線接続構造。

IPC (5件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  C01B 31/02 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L21/88 M ,  C01B31/02 101F ,  H01L21/285 C ,  H01L21/90 A

Fターム (50件)：

4G146AA11 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC22 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4M104BB04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF21 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK22 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033RR04 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 集積回路装置及び集積回路装置製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-135322   出願人：富士通株式会社
• 集積回路内の半導体デバイスおよびその構成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-131296   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド