特許

J-GLOBAL ID：200903087931684683

集積回路装置及び集積回路装置製造方法

発明者： 粟野 祐二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-135322
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329723
出願日： 2001年05月02日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 マイグレーション耐性の向上したビアを持つ集積回路装置、及びリソグラフィー技術の限界以上に微細化した配線構造を持つ集積回路装置の提供。【解決手段】 カーボンナノチューブの如く炭素元素から構成された円筒状構造体で形成したビア15を持つ集積回路装置、あるいは、配線部材のうちの少なくとも一部が炭素元素から構成された円筒状構造体により形成されている集積回路装置とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に作られた複数の素子を含む集積回路装置であり、それらの素子のほかに、それらの素子及び当該集積回路装置を機能させるための配線と、異なる層の配線どうしを接続するビアとを更に含む集積回路装置であって、当該ビアが炭素元素から構成される円筒状の構造体により形成されていることを特徴とする集積回路装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 ,  B82B 1/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

B82B 1/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A

Fターム (31件)：

4G046CA02 ,  4G046CB05 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4K030BA27 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA14 ,  4K030LA15 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD46 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033PP06 ,  5F033PP08 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP21 ,  5F033QQ41 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ナノスケール導電性コネクタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-215599   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド