特許
J-GLOBAL ID：200903007930474630
半導体基板、その製造方法、半導体デバイスおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-365497
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173328
出願日： 2005年12月19日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】 イオン飛程の変動要因を除去して半導体基板面内で安定したゲッタリングサイトを形成でき、表面に良質のエピタキシャル層を成長させる。又、以後の熱処理に依存しない安定した高密度なゲッタリングサイトの形成が可能となる【解決手段】 元板の半導体基板1の表面側からイオン注入を行って半導体基板1の所定深さに均一で高密度なゲッタリングサイト2を形成する半導体基板10の製造方法において、このイオン注入時に基板深さ方向の制御性向上のために酸化膜などがない基板ミラー面からイオン注入を行い、このイオン注入後のエピタキシャル成長前に、酸化性ガス雰囲気で低温熱処理により基板表面側の不純物を除去し、非酸化性ガス雰囲気で高温熱処理により基板表面側に無欠陥層3を形成すると共に高密度なゲッタリングサイト2を形成し、熱処理後に熱処理で形成された熱酸化膜を除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
元板の半導体基板の表面側からイオン注入することにより該表面から所定深さにゲッタリングサイトを形成する半導体基板の製造方法であって、
表面酸化膜除去処理後の基板ミラー面からイオン注入処理を行う工程と、
該イオン注入処理後に、酸化性ガス雰囲気で該表面に形成された熱酸化膜中に基板表面側の不純物を取り込む低温熱処理および、非酸化性ガス雰囲気で基板表面部の結晶性を回復させて該熱酸化膜下に無欠陥層を形成する高温熱処理を行うと共に、該無欠陥層下にゲッタリングサイトを形成する工程と、
該熱酸化膜を除去する工程とを有する半導体基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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