プロセスチャンバ内の基板表面温度制御装置及び方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島高城郎 , 河合典子 , 小林生央
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-505872
公開番号（公開出願番号）：特表2009-534824
出願日： 2007年04月17日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】基板表面温度の、水平方向における平均値からの偏差を、より効果的に低減する。【解決手段】CVD反応炉のプロセスチャンバ(12)のガス流により形成される動的なガスクッション(8)上で基板ホルダキャリア(1)により支持される基板ホルダ(2)上に載置される基板(9)の表面温度を制御する方法において、熱は、少なくとも部分的に、ガスクッションを介した熱伝導により基板(9)へ導入される。水平方向における基板の表面温度の、平均値からの偏差を低減するために、ガスクッション(8)を形成するガス流が、異なる熱伝導性をもつ2つまたはそれ以上のガス(17,18)で形成されるようにし、その組成を、計測される基板温度の関数として変化させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

CVD反応炉のプロセスチャンバ(12)内にて基板ホルダキャリア(1)のベアリング凹部(20)に設置されかつガス流により形成される動的なガスクッション(8)上に載せられた基板ホルダ(2)上に載置されている、少なくとも1つの基板(9)の表面温度を制御する方法であって、少なくとも部分的には前記ガスクッションを介した熱伝導により前記基板(9)へ熱が供給され、該基板の表面温度が基板表面上の複数のポイントにて計測され、これらの表面温度の平均値と各表面温度との偏差を低減するために、前記ベアリング凹部(20)の底面と前記基板ホルダ(2)の下面との間における前記ガスクッションの熱伝導性を、該ガスクッション(8)を形成する前記ガス流により変化させるべく、該ガス流が熱伝導率の異なる2つまたはそれ以上のガス(17、18)により形成されており、その組成は、計測された前記表面温度に基づいて変化させられ、かつ、前記ガス流を形成する前記2つまたはそれ以上のガス(17、18)のうち1つのみを用いたときは、前記基板の表面温度が回転対称な水平方向の不均一性を有しており、該ガス流の組成を変化させることによって該不均一性が補償されまたは過剰に補償されるように、前記基板ホルダ(2)の熱伝導率が選択されるとともに、前記基板ホルダの下面及び前記ベアリング凹部(20)の底面の形状が設定されている、基板表面温度制御方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/46

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/46

Fターム (26件)：

4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA07 , 4K030JA10 , 4K030KA02 , 4K030KA23 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AB21 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AF01 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045EK07 , 5F045EK21 , 5F045EM02 , 5F045GB05

引用特許：

出願人引用 (6件)

独国特許公開DE 100 56 029 A1公報
独国特許公開DE 101 33 914 A1公報
独国特許公開DE 696 29 980 T2公報

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審査官引用 (1件)

真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-130119 出願人：株式会社日立製作所

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