特許
J-GLOBAL ID：200903007935613205

薄膜の解析方法

発明者：
上西 一也

上西 一也 について

, 
北田 一行

北田 一行 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-007362
公開番号（公開出願番号）：特開2004-219261
出願日： 2003年01月15日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】種々の分野に応用可能であり、簡易な方法で、支持体上に設けられた薄膜内における特定成分の分布を高精度で検知し、解析し得る薄膜の解析方法を提供する。【解決手段】薄膜の構成成分を解析する方法であって、薄膜を斜めに切削する切削工程と、該薄膜の切削断面における特定成分を解析する解析工程と、を有することを特徴とする。この切削工程において、薄膜をガラス製ナイフにより切削することが好ましく、また、切削断面における特定成分の分布の解析には、TOF-SIMS法、又は、μ-ESCA法による解析が好適であり、特に、水不溶且つアルカリ可溶性樹脂、赤外線吸収剤、及び着色剤を含む平版印刷版原版の画像記録層の解析に有用である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
薄膜の構成成分を解析する方法であって、 薄膜を斜めに切削する切削工程と、該薄膜の切削断面を解析する解析工程と、を有する薄膜の解析方法。
IPC (5件)：
G01N23/225 ,  G01N1/28 ,  G01N23/227 ,  G01N27/62 ,  G03F7/004
FI (5件)：
G01N23/225 ,  G01N23/227 ,  G01N27/62 K ,  G03F7/004 505 ,  G01N1/28 G
Fターム (37件)：
2G001AA01 ,  2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001AA10 ,  2G001BA06 ,  2G001BA08 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001CA05 ,  2G001CA10 ,  2G001GA05 ,  2G001GA06 ,  2G001GA08 ,  2G001KA01 ,  2G001LA05 ,  2G001LA20 ,  2G001MA05 ,  2G001RA01 ,  2G001RA20 ,  2G052AA00 ,  2G052AD52 ,  2G052BA16 ,  2G052EC03 ,  2G052GA24 ,  2G052JA09 ,  2G052JA13 ,  2H025AB03 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H096AA07 ,  2H096BA11 ,  2H096BA16 ,  2H096EA04 ,  2H096LA16 ,  2H096LA30
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開昭61-137041
  • 超薄膜界面評価装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-207194   出願人：株式会社島津製作所
  • 半導体基板の金属不純物の分析方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-385395   出願人：三菱電機株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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