特許

J-GLOBAL ID：200903007949859886

半導体製造プロセスのための方法とシステム

発明者： レビイ,エディ ,  ブラウン,カイル・エイ ,  スメド,ロドニイ・シイ ,  ニコーナハッド,メールダッド ,  バルトマン,ゲーリー ,  ワック,ダン ,  フィールデン,ジョン
出願人/特許権者： ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-529821
公開番号（公開出願番号）：特表2004-513509
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

要約書なし。

請求項（抜粋）：

使用時に試料の少なくとも2つの特性を判別するように構成されたシステムであって、 使用時に試料を支持するように構成されているステージと、 ステージに結合され、 使用時にエネルギーを試料の表面に向けるように構成された照明システムと、 照明システムに結合され、使用時に試料の表面から伝搬するエネルギーを検出するように構成され、測定具が使用時に検出されたエネルギーに対応して1つまたは複数の出力信号を発生するように構成されている検出システムと を備える測定具と、 測定具に結合され、使用時に1つまたは複数の出力信号から試料の第1の特性および第2の特性を判別するように構成され、第1の特性が試料の限界寸法を含み、第2の特性が試料のオーバーレイ・ミスレジストレーションを含むプロセッサと を備えるシステム。

IPC (4件)：

H01L21/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/66

FI (4件)：

H01L21/02 Z ,  H01J37/317 Z ,  H01L21/66 J ,  H01L21/265 T

Fターム (8件)：

4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA41 ,  4M106DH11 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ06 ,  4M106DJ20 ,  5C034CD06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 寸法測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-352671   出願人：株式会社ニコン
• 重ね合わせ精度評価パターンおよびこれを用いた評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-297414   出願人：ソニー株式会社