特許

J-GLOBAL ID：200903007965074333

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  須沢 英臣 ,  酒井 重史 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364120
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203366
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 GOLD構造の薄膜トランジスタの提供【解決手段】 絶縁基板上の半導体層、ゲート絶縁膜、導電性材料から成るサイドウォールを有するゲート電極、低濃度N型不純物領域、ソース領域及びドレイン領域から構成される薄膜トランジスタ。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上の半導体層と、前記半導体層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の導電性被膜から成るサイドウォールを有するゲート電極とを有し、前記ゲート絶縁膜を介して前記サイドウォールと重なる半導体層にはソース領域及びドレイン領域のN型不純物よりも低濃度のN型不純物が含まれること、を特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 617 J ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 616 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

• エッチング方法およびエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-332069   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-106023
  
• 特開昭64-081322
  
• 特開平2-142127
  
• 特開平3-276628
  
• 特開平2-220438