特許

J-GLOBAL ID：200903007990812551

太陽電池及びその製造方法

発明者： 兼岩 実 ,  渋谷 典明 ,  岡本 諭 ,  山嵜 一郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093981
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310740
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 裏面電界層に微結晶シリコンを用いた太陽電池の高効率化を目的とする。【構成】 P型シリコン基板11に、裏面電界層として形成されたP+型微結晶シリコン層16と裏面電極18との間に、プラズマCVD法により基板温度50〜200°Cで形成された透明絶縁膜層17を設ける構成による。【効果】 開放電圧と短絡電流を向上させることができ、長波長側に分光感度を改善できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の光入射側に形成された第2導電型の半導体層と、上記半導体基板の上記光入射側と反対側の裏面上に形成された第1導電型でかつ上記半導体基板より高濃度の裏面電界層と、該裏面電界層上に形成された裏面電極とを有する太陽電池において、上記裏面電界層と上記裏面電極との間に絶縁膜層を設けることを特徴とする太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-051884   出願人：トヨタ自動車株式会社