特許

J-GLOBAL ID：200903007992896434

光半導体装置とその製造方法および光半導体装置を備えた光装置モジュール、光通信装置

発明者： 阪田 康隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207462
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026461
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 選択MOVPE法によって作製されるInGaAsP等のV族元素を2種類以上含む化合物半導体は十分高い結晶品質を得る事が難しく、この化合物半導体を主要構成要素とする半導体光デバイスの素子特性を十分良好な物とすることができなかった。【解決手段】 選択有機金属気相成長法によって結晶成長された III-V族化合物半導体を構成要素とする光半導体装置であって、V族元素を少なくとも2種類以上含み、前記化合物半導体のV組成比が所望の値となるよう非選択有機気相成長法とは異なるV族原料供給条件で形成されている。

請求項（抜粋）：

選択有機金属気相成長法によって結晶成長された III-V族化合物半導体を構成要素とする光半導体装置であって、V族元素を少なくとも2種類以上含み、前記化合物半導体のV組成比が所望の値となるよう非選択有機金属気相成長法とは異なるV族原料供給条件で形成されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (8件)：

H01S 5/343 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/017 503 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/026

FI (8件)：

H01S 5/343 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/017 503 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/026 ,  H01L 31/02 C ,  H01L 31/10 A

Fターム (68件)：

2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037CA00 ,  2H037CA15 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA05 ,  2H037DA06 ,  2H037DA36 ,  2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB04 ,  2H079KA11 ,  2H079KA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045CA12 ,  5F045DA54 ,  5F045DA63 ,  5F045DB02 ,  5F045DB05 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049QA08 ,  5F049QA15 ,  5F049QA16 ,  5F049TA14 ,  5F073AA22 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB21 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB30 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073HA12 ,  5F088AA03 ,  5F088AB07 ,  5F088BB01 ,  5F088CB04 ,  5F088GA05 ,  5F088JA14 ,  5F103AA10 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103GG06 ,  5F103HH03 ,  5F103HH07 ,  5F103LL03 ,  5F103LL16 ,  5F103LL17 ,  5F103NN05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325370   出願人：日本電気株式会社
• 導波路集積素子の製造方法,及び導波路集積素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-250634   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体光集積素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042831   出願人：株式会社日立製作所