特許
J-GLOBAL ID:200903007998902533
三次元のミクロ機械加工された電磁装置およびそれに関連する方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-544030
公開番号(公開出願番号):特表2002-511690
出願日: 1999年04月13日
公開日(公表日): 2002年04月16日
要約:
【要約】三次元構造を有するマイクロ電磁装置は、導伝性表面上へのレーザ化学蒸着により形成される。電磁装置のアレイを形成してもよい。導伝性表面への蒸着を容易にするための種々の技術を使用してもよい。レーザ化学蒸着によりTHz領域で使用するための螺旋状のアンテナを形成してもよい。このアンテナはボロメータ上に形成することが好ましい。
請求項(抜粋):
導伝性表面を形成し、 この導伝性表面に三次元構造をレーザ化学蒸着し、それによって三次元電磁装置を形成する、三次元電磁装置を形成する方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (5件):
5J046AA07
, 5J046AA19
, 5J046AB12
, 5J046BA00
, 5J046PA06
引用特許:
出願人引用 (2件)
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特開平2-056932
-
薄膜の選択成長方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-082643
出願人:三洋電機株式会社
審査官引用 (1件)
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