特許
J-GLOBAL ID:200903008002113410

高周波回路用パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-334655
公開番号(公開出願番号):特開2000-164755
出願日: 1998年11月25日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 線路導体のハーメチックシール部でインピーダンスのミスマッチングにより、また、側壁線路導体によって高インピーダンスとなり、高周波信号の反射が増大してしまう。【解決手段】 内部に接地導体層2が、上面に高周波回路部品9の搭載部1aが形成された誘電体基板1と、その上面に搭載部1aを囲んで接合された誘電体枠体3と、下面に形成され、誘電体枠体3の内側に対応する位置から外周に至る線路導体4と、側面に線路導体4と連続的に形成された側壁線路導体5と、線路導体4の他方の端部から誘電体枠体3の内側の誘電体基板1の上面にかけて形成された貫通導体6とから成り、側壁線路導体5の長さが高周波信号の波長の4分の1以下である高周波回路用パッケージである。インピーダンスのミスマッチングや増加を抑え、低反射の良好な伝送特性とすることができる。
請求項(抜粋):
内部に接地導体層が形成され、上面に高周波回路部品を搭載する搭載部が形成された誘電体基板と、該誘電体基板の上面に前記搭載部を囲んで接合された誘電体枠体と、前記誘電体基板の下面に形成され、前記誘電体枠体の内側に対応する位置から外周に至る線路導体と、前記誘電体基板の側面に前記線路導体と連続的に形成された側壁線路導体と、前記線路導体の他方の端部から前記誘電体枠体の内側の前記誘電体基板の上面にかけて形成された貫通導体とから成り、前記側壁線路導体は、その長さが前記線路導体により伝送される高周波信号の波長の4分の1以下であることを特徴とする高周波回路用パッケージ。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/02
FI (2件):
H01L 23/12 Q ,  H01L 23/02 H
引用特許:
審査官引用 (4件)
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