プラズマプロセス装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060602
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273091
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【構成】反応容器11の内壁面に近接し、第1のマイクロ波導入窓13と対向する部分に第2のマイクロ波導入窓22を有するアルミニウム製のインナベルジャー21を備えているプラズマプロセス装置。【効果】プラズマ19をインナベルジャー21内に発生させることができるとともに、上方に漏出するのを阻止することができ、プラズマ19中の活性種が減少するのを防止することができるため、試料Sのエッチング速度を速めることができる。また反応容器11がプラズマ19によりスパッタされるのを阻止することができるため、試料Sが重金属により汚染されるのを防止することができる。またインナベルジャー21は熱伝導に優れ、かつ熱衝撃に強く、比較的長期間使用することができるとともに、真空容器構造や強度メンバーではなく、比較的簡単に形成することができるため、コストを削減することができる。

請求項（抜粋）：

第1のマイクロ波導入窓を備えた反応容器と、該反応容器に前記第1のマイクロ波導入窓を介してマイクロ波を導入する導波管と、前記反応容器の外周部に設けられた磁場発生手段とを備え、前記マイクロ波と前記磁場発生手段とによりプラズマを発生させ、このプラズマにより前記反応容器内に設置された試料を処理するプラズマプロセス装置において、前記反応容器の内壁面に近接し、前記第1のマイクロ波導入窓と対向する部分に第2のマイクロ波導入窓を有するアルミニウム製のインナベルジャーを備えていることを特徴とするプラズマプロセス装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-210588 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
特開平4-225227
特開平4-363021

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