特許

J-GLOBAL ID：200903008060425104

半導体レーザ素子

発明者： 山田 由美 ,  藤本 毅 ,  室 清文
出願人/特許権者： 三井石油化学工業株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-135434
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330666
出願日： 1995年06月01日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 活性層へのキャリア閉じ込めを確実に行って、発振効率の向上および発振閾値の低減化が可能な半導体レーザ素子を提供する。【構成】、n-GaAsから成る半導体基板20の上に、順次、n-Al0.03Ga0.97Asから成る第2n型クラッド層11、n-GaAsから成る第1n型クラッド層12、n-In0.49Ga0.51Pから成るn型キャリアブロック層13(厚み0.0075μm)、In0.20Ga0.80As/GaAsから成る二重量子井戸構造を持つ活性層14、p-Al0.30Ga0.70Asから成るp型キャリアブロック層15(厚み0.02μm)、p-GaAsから成る第1p型クラッド層16、p-Al0.03Ga0.97Asから成る第2p型クラッド層17、p-GaAsから成るp型コンタクト層19が形成される。p型コンタクト層19には、n-GaAsから成る電流狭窄層18が埋込まれている。

請求項（抜粋）：

活性層の両側にクラッド層を設け、前記活性層に近接して前記活性層および前記クラッド層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するp型およびn型キャリアブロック層がそれぞれ設けられ、前記n型キャリアブロック層はInXGa1-XP(0≦X≦1)で形成され、隣接するクラッド層はAlYGa1-YAs(0≦Y≦1)で形成され、かつ両層の格子整合がとれるようにIn組成Xが選択されており、さらにn型キャリアブロック層と隣接するクラッド層との価電子帯オフセット比が0.5以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-018082
  
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-002401   出願人：富士通株式会社