特許
J-GLOBAL ID:200903008063122161

光制御方法および光制御装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-067774
公開番号(公開出願番号):特開平10-260433
出願日: 1997年03月21日
公開日(公表日): 1998年09月29日
要約:
【要約】【課題】 充分な大きさおよび速度の光応答を再現性良く光応答性の光学素子から引き出すような光制御方法および光制御装置を提供する。【解決手段】 光源1から制御光が、光源2から信号光が射出する。制御光および信号光は集光レンズ7で収束され、光学素子8に照射される。受光レンズ9および波長選択フィルター20を経て光検出器22で信号光のみが検出される。制御光のON、OFFにより信号光の透過率が可逆的に増減し、信号光の強度変調が実現する。光学素子8内で制御光の最小収束ビーム径を信号光の最小収束ビーム径よりも大きくすることにより、2つの最小収束ビーム径の位置ずれを許容でき実現性を高くできる。
請求項(抜粋):
光応答性組成物からなる光学素子に、互いに波長の異なる制御光および信号光を照射し、前記制御光の波長は前記光応答性組成物が吸収する波長帯域から選ばれるものとし、前記光応答性組成物が前記制御光を吸収した領域およびその周辺領域に発生する温度上昇に起因する密度変化の分布に基づいた熱レンズを可逆的に形成させ、前記熱レンズを透過する信号光の強度変調および/または光束密度変調を行う光制御方法において、前記制御光および前記信号光を各々収束させて前記光学素子へ照射し、かつ、前記制御光および前記信号光のそれぞれの焦点近傍の光子密度が最も高い領域が前記光学素子中において互いに重なり合うように、前記制御光および前記信号光の光路をそれぞれ配置した光制御方法であり、更に、焦点近傍の光子密度が最も高い領域における前記信号光のビーム断面積が、焦点近傍の光子密度が最も高い領域における前記制御光のビーム断面積を越えないように前記信号光および前記制御光のビーム断面の形状および大きさおよび収束状態をそれぞれ設定することを特徴とする光制御方法。
IPC (3件):
G02F 1/19 ,  G02F 1/01 ,  G02F 1/35
FI (3件):
G02F 1/19 ,  G02F 1/01 F ,  G02F 1/35
引用特許:
審査官引用 (1件)

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