特許
J-GLOBAL ID：200903008064506060
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-297052
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135836
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 共通電極寄りの発光部の両端側の発光強度が小さいという問題があった。【解決手段】 基板1上に一導電型半導体層2と逆導電型半導体層3を積層して形成し、この一導電型半導体層2に共通電極5を接続して設けると共に、逆導電型半導体層3に個別電極4を接続して設けた半導体発光装置であって、上記一導電型半導体層2と共通電極5との接続部よりも、逆導電型半導体層3と個別電極4との接続部を幅広に形成した。
請求項（抜粋）：
基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層して形成し、この一導電型半導体層に共通電極を接続して設けると共に、逆導電型半導体層に個別電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記一導電型半導体層と共通電極との接続部よりも、前記逆導電型半導体層と個別電極との接続部を幅広に形成したことを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
前のページに戻る
