発光ダイオードアレイ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138441
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237919
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】島状半導体層を高密度化した場合に、半導体層と電極との接続部の面積が小さくなって発光強度が減少し、駆動電圧を大きくしなければならないと共に、電流の流れが半導体層の一部に偏って発光素子毎の発光にバラつきが生じるという問題があった。【解決手段】半導体基板上に一導電型を呈する島状の半導体層を列状に設け、この半導体層の一端部が露出するように逆導電型を呈する第二の半導体層を第一の半導体層上に積層して設け、第一の半導体層の露出部の上面から側面が被覆されるように第一の電極を設けると共に、この第一の電極と第一の半導体層が対峙する部位の第一の半導体層の上面部分の全面もしくはほぼ全面で第一の電極と第一の半導体層を接続し、第二の半導体層の上面から側面が被覆されるように第二の電極を設けると共に、この第二の電極と第二お半導体層が対峙する部位の第二の半導体層の上面部分の全面もしくはほぼ全面で第二の電極と第二の半導体層を接続した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に一導電型を呈する島状の半導体層を列状に設け、この半導体層の一端部が露出するように逆導電型を呈する第二の半導体層を前記第一の半導体層上に積層して設け、前記第一の半導体層の露出部の上面から側面が被覆されるように第一の電極を設けると共に、この第一の電極と前記第一の半導体層が対峙する部位の前記第一の半導体層の上面部分の全面もしくはほぼ全面で前記第一の電極と前記第一の半導体層を接続し、前記第二の半導体層の上面から側面が被覆されるように第二の電極を設けると共に、この第二の電極と前記第二の半導体層が対峙する部位の前記第二の半導体層の上面部分の全面もしくはほぼ全面で前記第二の電極と前記第二の半導体層を接続してなる発光ダイオードアレイ。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , B41J 2/44 , B41J 2/45 , B41J 2/455

FI (2件)：

H01L 33/00 E , B41J 3/21 L

引用特許：

出願人引用 (13件)

特開平2-055157
特開平2-172772
特開平4-211182

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審査官引用 (1件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-251354 出願人：日立電線株式会社

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