半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179323
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029255
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】大規模集積回路でバイアス-温度ストレスを印加してもコンタクト領域下部に形成されるp/n接合の逆方向リーク電流の経時的増大がない、高信頼性のオーミックコンタクト構造を提供する。【構成】 p型シリコン基板1の表面近傍にn+拡散層2が形成されており、両者の界面がp/n接合面3となる。n+拡散層2の上層に堆積された層間絶縁膜4に対して開口されたコンタクトホール部には、Al-Si-Cu合金配線層8を主体とし、これの構成金属元素のp型シリコン基板1中への拡散を抑制するバリア層としての窒化チタニウム薄膜7と、更にコンタクト抵抗低減化し窒化チタニウム薄膜7と層間絶縁膜4の密着性向上のため金属チタニウム薄膜6を下部に積層状に有する積層金属配線層10とn+拡散層2とのコンタクトが形成される。直接n+拡散層2と接触しコンタクト界面を形成する領域の導電性材料は最も安定なC54結晶構造チタニウムダイシリサイド層5である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上における高濃度拡散層と金属配線層のオーミックコンタクトを有した半導体装置であって、前記金属配線層を構成する金属元素を前記シリコン基板中に拡散することを抑制する中間層が前記金属配線層の下部に存在し、前記中間層の部分の内、前記高濃度拡散層と直接に接触する部分が、C54結晶構造のチタニウムダイシリサイド層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/46 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-119129
特開平2-235372
特開昭64-025571

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