特許
J-GLOBAL ID：200903008097419511
変調器付半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354555
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186661
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 光モニタ部を有する変調器付半導体レーザの提供。【解決手段】 光導波路に沿って半導体レーザ部と電界吸収型変調器部を構成してなる変調器付半導体レーザであって、前記光導波路の一部に光モニタ部が設けられている。前記光モニタ部は前記半導体レーザ部と前記変調器部の間に設けられ、かつλ<SB>PL</SB>(変調器部)<λ<SB>PL</SB>(光モニタ部)=λ<SB>PL</SB>(半導体レーザ部)となるように前記光導波路を構成する多重量子井戸の厚さをMQW膜厚(変調器部)<MQW膜厚(光モニタ部)=MQW膜厚(半導体レーザ部)となっている。出力光の出射面に対して反対になる端面に反射率90〜100%の反射膜が設けられている。前記反射膜はSiO<SB>2</SB>膜とアモルファスシリコン層を繰り返して2層以上重ねた層になっている。出力光を出射する光導波路の端面は光導波路の光軸に対して傾斜する構造になっている。
請求項（抜粋）：
光導波路に沿って半導体レーザ部と電界吸収型変調器部を構成してなる変調器付半導体レーザであって、前記光導波路の一部に光モニタ部が設けられていることを特徴とする変調器付半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (5件)
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半導体光集積素子及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-180746
出願人：株式会社日立製作所
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特開平4-290485
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半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-136109
出願人：富士通株式会社
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