特許

J-GLOBAL ID：200903008168927394

半導体プロセスおよびウエット処理装置

発明者： 青木 秀充 ,  杉野 隆 ,  木村 千春
出願人/特許権者： 杉野 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-088432
公開番号（公開出願番号）：特開2009-027133
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極1と、下部電極1に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極1に通す上部電極4とを備え、下部電極1と上部電極4との間に電圧を印加しながらウエット処理する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体製造工程の洗浄で使用される半導体プロセスにおいて、 ウエハに電圧を印加しながらウエット処理することを特徴とする半導体プロセス。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/306 L ,  H01L21/304 644A ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648Z

Fターム (32件)：

5F043AA21 ,  5F043AA26 ,  5F043BB14 ,  5F043BB18 ,  5F043BB27 ,  5F043DD10 ,  5F043DD13 ,  5F043DD14 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE14 ,  5F043EE35 ,  5F157AA09 ,  5F157AA28 ,  5F157AA29 ,  5F157AA36 ,  5F157AA73 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157BA02 ,  5F157BA13 ,  5F157BA31 ,  5F157BB22 ,  5F157BH12 ,  5F157BH16 ,  5F157CE21 ,  5F157CF46 ,  5F157CF62 ,  5F157DB18 ,  5F157DB57

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 洗浄水及びウエハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-179081   出願人：日本電気株式会社