半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186820
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037097
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】高速で高周波特性もよい半導体装置を容易に製造する。【構成】図1Aに示すように、ポリシリコン膜23、25にリンをプレデポジションし、熱処理を行なうことにより、単結晶シリコン層5にリンがオートドープされる。その際、領域36については、シリコン酸化膜21をバリアとして、リンはドープされない。その後熱処理を行なうことにより、開口部34の幅が図1Aの幅d1から図1Bの幅d2に狭くなる。基板全面に、ボロンをイオン注入し、アニールを行なうことにより、自己整合的にベース層11、エミッタ層13およびコレクタ層15が形成される(同図B)。

請求項（抜粋）：

絶縁層上の薄膜半導体層に半導体装置を製造する方法であって、ともに第1導電型のエミッタ層およびコレクタ層と、前記エミッタ層とコレクタ層との間に配置された第2導電型のベース層と、を前記薄膜半導体層内に横方向に配置した半導体装置の製造方法において、前記ベース層の上部にベース層絶縁膜を形成する工程、熱処理することによって表面に熱処理膜が形成される導電性膜を用いて、前記ベース層形成予定領域以外の領域を、前記ベース層絶縁膜より十分な膜厚で覆う工程、前記導電性膜を熱処理する工程、前記導電性膜を不純物遮断膜として、ベース層形成予定領域に第1導電型の不純物を注入拡散する工程、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-260430
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-167318 出願人：富士通株式会社
特開平3-008343

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