特許
J-GLOBAL ID:200903008188831520
薄膜平面構造体の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-126593
公開番号(公開出願番号):特開2000-317896
出願日: 1999年05月07日
公開日(公表日): 2000年11月21日
要約:
【要約】【課題】 薄膜加工体の内部応力を制御して、高い再現性の下に薄膜平面構造体製造する方法を提供する。【解決手段】 過冷却液体域を有する非晶質材料からなる薄膜を所定の基板上に形成する。次いで、この薄膜にウエットエッチングなどを施して、例えば片持ち梁形状の薄膜加工体を形成する。次いで、この薄膜加工体を前記過冷却液体域まで加熱処理して、好ましくは0.5〜5分保持する。その後、前記薄膜加工体を室温まで冷却する。次いで、前記基板の少なくとも一部をウエットエッチングなどによって除去し、片持ち梁形状の前記薄膜加工体からなる薄膜平面構造体を形成する。
請求項(抜粋):
過冷却液体域を有する非晶質材料からなることを特徴とする、薄膜平面構造体。
IPC (4件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, C23F 1/00 103
, H01L 21/306
FI (4件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, C23F 1/00 103
, H01L 21/306 G
Fターム (11件):
4K057WA20
, 4K057WB06
, 4K057WC01
, 4K057WC06
, 4K057WE22
, 4K057WN10
, 5F043AA07
, 5F043BB03
, 5F043CC02
, 5F043FF10
, 5F043GG10
引用特許:
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