特許
J-GLOBAL ID：200903008205234728
Ti/TiN/W膜のドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105434
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318574
出願日： 1993年05月06日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【構成】 Ti/TiN/W膜を、SF6が2〜20容量%、BCl3が20〜40容量%、Cl2が50〜78容量%からなる組成比の混合ガス中で、同一工程でドライエッチングを行う。【効果】 Ti/TiN/W膜をドライエッチングする際、SF6、BCl3及びCl2を含む混合ガスを使用することにより、基板を0°C以下に冷却することなく、1工程での形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
Ti/TiN/W膜を、SF6が2〜20容量%、BCl3が20〜40容量%、Cl2が50〜78容量%からなる組成比の混合ガス中で、同一工程でドライエッチングを行うことを特徴とするTi/TiN/W膜のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
