特許
J-GLOBAL ID：200903008227644482
半導体素子及びそれを用いる線状光源
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076822
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270535
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、素子の高密度化に対応して高密度ワイヤーボンドを行うことができる構造を提供することを課題とする。【解決手段】 発光ダイオードアレイ3と、発光ダイオードアレイの駆動回路4と、第1ボンディングが駆動回路のパッド部43に行われ、第2ボンディングがアレイ3のパッド部36に行われるボンディングワイヤー5を備え、アレイ3側のパッド部36を、リード電極34の延長部によって構成した第1の層36aと、この第1の層の厚みよりも1.5〜5倍の厚みを有する第2の層36bを備えて構成した。第1の層36aと第2の層36bの合計厚みは2.5μm以上に設定し、第1の層36aの下に第2の層36bを配置する。
請求項（抜粋）：
先端にワイヤーボンド用パッド部を設けた複数本のリード電極を上面に設けた半導体素子において、前記ワイヤーボンド用パッド部を、前記リード電極の延長部によって構成した第1の層と、この第1の層の厚みよりも1.5〜5倍の厚みを有する第2の層を備えて構成したことを特徴とする半導体素子。
IPC (8件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
, G09F 9/33
, H01L 21/60 301
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 33/00 N
, G09F 9/33 R
, H01L 21/60 301 A
, B41J 3/21 L
, H01L 23/30 F
