半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-217284
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134965
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】しきい値電圧の変動,ばらつきの少ない、かつゲート酸化膜の品質の高いDMOSFET搭載型半導体装置を提供する。【解決手段】 DMOSFETのN- 型ドレイン拡散層2のソース側領域内にP- 型ボディー拡散層を形成する際、DMOSFETのボディー拡散層形成領域が開口されたレジスト膜12とN+ 型ゲート電極8aとをマスクとし、P型不純物イオンをN+ 型ゲート電極8aの下方領域の一部にまで達するように大傾角で注入,活性化する。その後、N+ 型ソース拡散層15をP- 型ボディー拡散層14の中に、N+ 型ドレイン拡散層16をN- 型ドレイン拡散層2の中にそれぞれ形成する。P型不純物イオンをN+ 型ゲート電極の下方領域に侵入させるための高温ドライブイン処理をする必要がないので、N+ 型ゲート電極からの不純物の拡散によるしきい値電圧の低下,ばらつき、ゲート酸化膜の劣化を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板内の素子分離で囲まれる活性領域内に少なくとも1つのDMISFETを搭載した半導体装置において、上記DMISFETは、上記活性領域内に低濃度の第1導電型不純物又は第2導電型不純物を導入して形成された第1の不純物拡散層と、上記活性領域上に形成されたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、上記活性領域内の上記ゲート電極の一方の側方に位置する領域に高濃度の第1導電型不純物を導入して形成されたソース拡散層と、上記活性領域内の上記ゲート電極の他方の側方に位置する領域に高濃度の第1導電型不純物を導入して形成され、上記第1の不純物拡散層に取り囲まれるドレイン拡散層と、上記活性領域内において、上記ソース拡散層を取り囲みかつ上記ゲート電極の下方領域の一部に達する領域にしきい値制御レベルの第2導電型不純物を導入して形成され、上記ドレイン拡散層とは上記第1の不純物拡散層を挟んで離れている第2の不純物拡散層とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 102 A , H01L 29/78 301 D

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭56-061159
特開平4-144173
特開平4-151875

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