特許
J-GLOBAL ID：200903008238997174

半導体装置および半導体基板貫通導体の形成方法

発明者：
浅井 周二

浅井 周二 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169903
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357693
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板にクラック等の破損を生ぜず、表面の半導体素子等に影響を及ぼない、安定した半導体基板貫通導体を有する半導体装置と半導体基板貫通導体の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の半導体基板1の表面には不図示の半導体素子とその回路が形成されて絶縁膜6で保護されており、半導体基板1の所定の位置に表面から裏面に貫通する開口が穿孔され、その開口の内面部に半導体基板貫通導体となる金属膜の埋込配線3が形成され、この埋込配線3により囲まれた空間部が樹脂膜4によって充填されている。半導体基板の裏面には所定の位置に接地パット12または端子パット13が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に半導体素子とその回路が形成され、該半導体基板の所定の位置に表面から裏面に貫通する開口があり、該開口の内壁に金属膜(貫通金属膜)が形成され、該貫通金属膜は該半導体基板の裏面に設けられた導体膜(裏面導体膜)に電気的に接続されている半導体装置において、前記開口内に形成された前記貫通金属膜により囲まれた空間部が樹脂によって充填されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 29/41 ,  H01L 23/28
FI (3件)：
H01L 21/88 J ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 29/44 B
Fターム (18件)：
4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104GG20 ,  4M109BA03 ,  4M109DB16 ,  4M109DB17 ,  4M109EE07 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033NN01 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033RR04 ,  5F033XX17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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