半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191344
公開番号（公開出願番号）：特開平6-012879
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】ノイズの影響を排除しつつ読出し動作が高速化できる半導体集積回路装置の提供【構成】センスアンプ回路は、カレントミラー形アンプが並列接続された第1センスアンプa1と、アンプa1に従属接続されたPMOS正帰還形の第2センスアンプa2とを有している。アンプa1,a2 には、これらを活性化させるためのトランジスタn1,n2 が設けられている。アンプa2の入力ノードe2, -e2と、出力ノードD2, -D2には、各ノードをVCCレベルにリセットするPMOSトランジスタp1〜p4が設けられている。トランジスタp1〜p4の各ゲートと、トランジスタn1,n2のゲートには、同じクロック信号CLK が入力される。第2センスアンプa2のP およびNMOSトランジスタP5,P6,n5,n6 のディメンジョンは、その入力電位が中間電位レベルの時増幅作用が大になるように設定されている。

請求項（抜粋）：

メモリセルから読み出された信号を検知して増幅するセンスアンプ回路を備え、このセンスアンプ回路がカレントミラー形アンプを並列接続した第1センスアンプと、この第1センスアンプに従属接続されたPMOS正帰還形アンプからなる第2センスアンプとで構成された半導体集積回路装置において、前記第2センスアンプは、中間電位レベルで増幅作用が大になるように設定され、前記第2センスアンプの入力および出力ノードを電源電位にプリチャージするPMOSトランジスタをそれぞれ設け、前記第1および第2センスアンプの活性化信号と前記PMOSトランジスタの制御信号とを同一クロック信号にしたことを特徴とする半導体集積回路装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

差動伝送回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-097614 出願人：松下電器産業株式会社

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