特許
J-GLOBAL ID：200903008322772986
積層型圧電体セラミック素子およびそれを用いた積層型圧電体電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-091698
公開番号（公開出願番号）：特開2003-201175
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年07月15日
要約：
【要約】【課題】 圧電体セラミック材料とAgを含有する内部電極とを共焼結させたときに、圧電体セラミック中へのAgの拡散量を抑制した積層型圧電体セラミック素子を提供する。【解決手段】 Agを含む内部電極層を有する圧電体セラミック素子に用いる圧電体セラミックが、ペロブスカイト型結晶構造を有し、かつPb,Zr,Ti,およびOの元素と、Na,K,Ca,Ba,Sr,La,Nd,Bi,Co,Ni,Mg,Cr,Sn,Nb,Sb,Ta,Wから選ばれる少なくとも1種の元素と、不可避不純物として含まれる元素とで構成され、この圧電体セラミックの平衡状態に対する電荷のずれをζ=[(A3-A1)+{(2×B6)+B5-B3-(2×B2)}]×e(C)(Bサイト元素の総数1に対するA1:Aサイトの1価元素モル比、A3:Aサイトの3価元素モル比、B2:Bサイトの2価元素モル比、B3:Bサイトの3価元素モル比、B5:Bサイトの5価元素モル比、B6:Bサイトの6価元素モル比、e:素電荷)と定義したとき、-0.037≦ζ/e≦-0.004とする。
請求項（抜粋）：
圧電体セラミック層と、Agを含む内部電極層とが積層されてなる積層型圧電体セラミック素子であって、前記圧電体セラミック層が、ABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有し、かつAサイトに含有されるPb元素と、Bサイトに含有されるZr元素およびTi元素と、Aサイトの1価元素としてのNa,Kのうち少なくとも1種、Aサイトの2価元素としてのCa,Ba,Srのうち少なくとも1種、Aサイトの3価元素としてのLa,Nd,Biのうち少なくとも1種、Bサイトの2価元素としてのCo,Ni,Mgのうち少なくとも1種、Bサイトの3価元素としてのCr、Bサイトの4価元素としてのSn、Bサイトの5価元素としてのNb,Sb,Taのうち少なくとも1種、およびBサイトの6価元素としてのW、から選ばれる少なくとも1種の元素とを含有する圧電体セラミックからなり、前記圧電体セラミックにおいて、Aサイトを2価、Bサイトを4価としたときの平衡状態からの電荷のずれをζ=[(A3-A1)+{(2×B6)+B5-B3-(2×B2)}]×e(C)ただし、Bサイト元素の総数を1としたときA1:前記Aサイトの1価元素の総モル比A3:前記Aサイトの3価元素の総モル比B2:前記Bサイトの2価元素の総モル比B3:前記Bサイトの3価元素の総モル比B5:前記Bサイトの5価元素の総モル比B6:前記Bサイトの6価元素の総モル比e:素電荷(1.60×10-19(C))と定義したとき、ζ/eが、-0.037≦ζ/e≦-0.004であることを特徴とする積層型圧電体セラミック素子。
IPC (3件)：
C04B 35/49
, H01L 41/083
, H01L 41/187
C04B 35/49 A
, H01L 41/08 S
, H01L 41/18 101 D
4G031AA01
, 4G031AA03
, 4G031AA04
, 4G031AA05
, 4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA09
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA14
, 4G031AA15
, 4G031AA16
, 4G031AA18
, 4G031AA22
, 4G031AA23
, 4G031AA31
, 4G031AA32
, 4G031AA34
, 4G031AA35
, 4G031BA10
, 4G031CA08
, 4G031GA01
, 4G031GA04
, 4G031GA06
, 4G031GA11
