特許
J-GLOBAL ID：200903008350701865
ウエハ酸化装置及び半導体素子の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100952
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133303
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 Alを含む層を酸化してAl酸化層を生成する際、面内均一性が高く、ウエハの全面にわたって同じ酸化幅の酸化層を生成できるようにした、ウエハの酸化装置を提供する。【解決手段】 本ウエハの酸化装置70は、ウエハWの外形輪郭より大きく、ウエハステージ44の外形輪郭より小さな輪郭を有し、熱伝導率が100W/K/m以上の板状伝熱部材72が、ウエハステージ44とウエハWとの間に介在していることを除いて、従来のウエハの酸化装置と同じ構成を備えている。板状伝熱部材72は、グラファイトで形成された板状体であって、ウエハステージ44上に固定されている。
請求項（抜粋）：
酸化反応炉と、酸化反応炉に配置され、ウエハを水平に保持して水平面内で回転自在な板状のヒータ内蔵型ウエハステージとを備えるウエハ酸化装置において、ウエハの外形輪郭より大きく、熱伝導率が100W/(K・m)以上の板状伝熱部材が、ウエハステージとウエハとの間に介在していることを特徴とするウエハ酸化装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01S 5/183
5F045AA20
, 5F045AB31
, 5F045AC00
, 5F045AC15
, 5F045AF04
, 5F045CA12
, 5F045CB02
, 5F045DP03
, 5F045DQ05
, 5F045EM09
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073CA04
, 5F073CA05
, 5F073CA15
, 5F073CA17
, 5F073DA27
, 5F073DA35
