半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053609
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268260
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】均一でゆらぎのない安定な発光特性および安定した電流-電圧特性が得られる。【構成】間接遷移型半導体層と、該半導体層の少なくとも表面層の空孔内部に充填して接する導電性物質からなる電荷注入層とを備える。

請求項（抜粋）：