特許

J-GLOBAL ID：200903008369696889

ホトレジスト組成物

発明者： ジェイムス ヴィンセント クリヴェロ ,  サン-ヨン シム
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148663
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022125
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 2成分系及び3成分系ポジ型レジスト材料として有効なポリマーを提供する。【構成】 ホトレジスト材料が下記式(1)で表わされるポリマーを含有する。(式中のR1は置換または非置換芳香族基または-(CH2)p-SiR3(R3はメチル基またはエチル基であり、p=0または1である)で示される基であり、R2は水素原子またはメチル基であり、t-Buはt-ブチル基を示し、n/(m+n)は0.1〜0.9である。)式(1)のポリマーは、光酸発生剤とともに2成分系のポジ型ホトレジスト材料を形成することができる。また式(1)のポリマーは、アルカリ可溶性樹脂として用いられ、この場合、光酸発生剤および少なくとも1個の酸不安定基を有する溶解阻止剤とともに3成分系のポジ型ホトレジスト材料を形成することができる。あるいはまた、式(1)のポリマーは、溶解阻止剤として用いられ、この場合、他のアルカリ可溶性樹脂および光酸発生剤とともに3成分系のポジ型ホトレジスト材料を形成することができる。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表わされるポリマーを含有するホトレジスト組成物。【化1】(式中、R1は置換または非置換の芳香族基または-(CH2)p-SiR3(R3はメチル基またはエチル基であり、p=0または1である)で示される基であり、R2は水素原子またはメチル基であり、t-Buはt-ブチル基を示し、n/(m+n)は0.1〜0.9である。)

IPC (4件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 感放射線性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-216052   出願人：日本合成ゴム株式会社
• 特開平3-223865
  
• 特開平2-181150
  
• 特開平3-289659