N,N-ジメチル-ビス(2-ヒドロキシエチル)第4アンモニウムヒドロオキサイドを使用するフォトレジストの剥離方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高木千嘉 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-509112
公開番号（公開出願番号）：特表平8-502367
出願日： 1993年09月23日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】フォトレジストを剥離する方法とこの方法に使用する水性浴について説明した。この方法は40°〜100°Cで約0.1〜10分間行われる。水性浴はN,N-ジメチルービス(2-ヒドロキシエチル)第4アンモニウムヒドロオキサイドの1〜10重量%と、モノエタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミンテトラ酢酸、メラミン、ニトリロトリ酢酸、モルホリン、アセトニルアセトンのような金属錯化剤を好ましくは0.5〜10重量%、そしてアンモニアを好ましくは0.1〜5重量%含有している。

請求項（抜粋）：

1) N,N-ジメチルービス(2-ヒドロキシエチル)第4アンモニウムヒドロオキサイド1〜10重量%および金属錯化剤0.5〜10重量%からなる水溶液を、フォトレジストに40〜100°Cで約0.1〜約10分間付与することからなる、伝導性金属で被覆した基板からフォトレジストを剥離する方法。2)水溶液がアンモニアを0.1〜5重量%含有する、請求項1に記載の方法。3)金属錯化剤がモノエタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミンテトラ酢酸、メラミン、ニトリロトリ酢酸、モルホリンおよびアセトニルアセトンよりなる群から選ばれる、請求項2に記載の方法。4)金属錯化剤がモノエタノールアミンである、請求項3に記載の方法。5)金属錯化剤がエチレンジアミンである、請求項4に記載の方法。6) N,N-ジメチルービス(2-ヒドロキシエチル)第4アンモニウムヒドロオキサイド1〜10重量%と、金属錯化剤0.5〜10重量%を含有する水性浴。7)アンモニアを0.1〜5重量%含有する、請求項6に記載の水性浴。8)金属錯化剤がモノエタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミンテトラ酢酸、メラミン、ニトリロトリ酢酸、モルホリンおよびアセトニルアセトンよりなる群から選ばれる、請求項7に記載の水性浴。9)金属錯化剤がモノエタノールアミンである、請求項8に記載の水性浴。10)金属錯化剤がエチレンジアミンである、請求項8に記載の水性浴。

IPC (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭60-021526
特開昭63-147168
特開昭63-241545

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