電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016660
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232389
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】電界効果型トランジスタの短チャネル効果を抑制する。そのために、チャネル部横方向の電位勾配を急峻にするゲート電極構造を用いる。また、安定性のある製造方法を与える。【構成】ボロンを導入したシリコン基板1上にゲート酸化膜2を介して、n+ポリシリコン3および厚さ0.2μmのタングステンシリサイド4を順次積層した構造を持つゲート電極があり、ゲート電極の両側にp+ ポリシリコンによる側壁5を設ける。n+ 領域よりなるソース・ドレイン拡散層6の接合位置は、側壁5を含んだゲート電極の両端に位置する。ダミースペーサを用いて、ソース・ドレイン拡散層6を形成後に側壁5を除去する製造方法を用いる。

請求項（抜粋）：

第一導電型の電界効果型トランジスタにおいて、第一導電型半導体、金属または金属シリサイドよりなるゲート電極と、このゲート電極に接して設けられた、電気的に接続した第二導電型の半導体多結晶よりなる側壁とを備え、前記側壁を形成する多結晶半導体の仕事関数が、前記ゲート電極を形成する第一導電型半導体、金属または金属シリサイドの仕事関数に比べ、nチャネルトランジスタの場合は大きく、pチャネルトランジスタの場合は小さくなるよう、構成材料が選択されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭60-043863
特開昭59-134879
特開昭63-257275

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