特許
J-GLOBAL ID：200903008390681301
炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び炭化珪素半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-210008
公開番号（公開出願番号）：特開2009-044083
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：
【課題】本発明は、炭化珪素単結晶ウェハから炭化珪素半導体素子を製造するに際し、ウェハ面における特定の基底面内欠陥を他の転位や積層欠陥と識別することによりその位置及びその種類を非破壊的に特定し、これに基づいて、結晶欠陥による素子特性への影響がない炭化珪素半導体素子を製造することを目的としている。【解決手段】炭化珪素単結晶ウェハのウェハ面内における反射X線トポグラフィー測定を行い、これにより得られた、ウェハ面内におけるX線回折データから、特定の回折パターンを識別することにより特定の基底面内欠陥を非破壊的に検出し、得られたウェハ面内における該基底面内欠陥の位置情報を取得することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び、該欠陥検出方法を用いた炭化珪素半導体素子の製造方法。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶基板の上にエピタキシャル膜が形成された炭化珪素単結晶ウェハにつき、
前記エピタキシャル膜の形成後において、前記炭化珪素単結晶ウェハのウェハ面内における反射X線トポグラフィー測定を行い、
前記測定により得られた、ウェハ面内におけるX線回折データから、
(a)前記エピタキシャル膜形成前における炭化珪素単結晶基板のウェハ面に貫通らせん転位が存在し、かつ、該エピタキシャル膜形成後において、該貫通らせん転位が消失する代わりに、フランク型の積層欠陥を伴う基底面内欠陥が発現するという回折パターン、および、
(b)前記エピタキシャル膜形成後における炭化珪素単結晶基板のウェハ面に貫通らせん転位とフランク型の積層欠陥を伴う基底面内欠陥とが同時に発現しており、かつ、該エピタキシャル膜形成前においては、該貫通らせん転位及び該基底面内欠陥のいずれも存在していないという回折パターン
を識別することにより、
前記単結晶基板上にエピタキシャル膜を形成する工程において、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位が構造変換することでエピタキシャル膜中に導入された基底面内欠陥、及び、新たな貫通らせん転位と結合生成されることでエピタキシャル膜中に導入された基底面内欠陥を、それぞれ非破壊的に検出し、
ウェハ面内における前記両基底面内欠陥の位置情報を取得することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
2G001AA01
, 2G001BA18
, 2G001CA01
, 2G001DA10
, 2G001HA13
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001NA07
, 2G001NA15
, 2G001QA01
, 4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106AB01
, 4M106AB11
, 4M106BA20
, 4M106CB19
, 4M106DH12
, 4M106DH25
