特許

J-GLOBAL ID：200903028702063717

炭化珪素半導体装置の検査方法および検査装置、並びに炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 俵 武志 ,  和泉 俊介 ,  土田 秀一 ,  鎌田 功穂
出願人/特許権者： 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 ,  財団法人電力中央研究所
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081539
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289023
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】炭化珪素半導体よりなる半導体装置の積層欠陥の有無を短時間で検査すること。また、その検査時間も含めて炭化珪素半導体装置を短時間で製造すること。【解決手段】p型の炭化珪素半導体とn型の炭化珪素半導体からなるpn接合を有するSiCウェハー9に、この炭化珪素半導体のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有するレーザー光2を照射する。そのレーザー照射によってSiCウェハー9から放射された光6を分光器4により分光し、特定波長の光の強度を光電子倍増管5により観測する。測定した光強度に基づいてpn接合よりなる半導体装置の特性劣化を判定する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

p型の炭化珪素半導体とn型の炭化珪素半導体からなるpn接合を有する半導体ウェハーに、当該炭化珪素半導体のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有するレーザー光を照射する工程と、 前記レーザー光の照射によって前記半導体ウェハーから放射された特定波長の光の強度を測定する工程と、 測定した光強度に基づいて前記pn接合よりなる半導体装置の特性劣化を判定する工程と、 を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の検査方法。

IPC (1件)：

H01L21/66

FI (1件)：

H01L21/66 L

Fターム (4件)：

4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA19 ,  4M106CA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光素子用エピタキシャルウェーハの評価方法及び評価装置、コンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに発光素子用エピタキシャルウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263452   出願人：株式会社東芝
• 結晶欠陥評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-346054   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開昭57-096241
  
• 特開昭57-096241