特許
J-GLOBAL ID：200903008408302060
同一な物質よりなる二重膜を含む多重膜としてカプセル化されたキャパシタを備えた半導体メモリ素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235332
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100742
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタの誘電膜の劣化を抑制するためのカプセル化膜を提供する。【解決手段】 カプセル化膜は、熱処理され、相対的に薄いブロッキング膜と、ブロッキング膜と同一物質よりなる保護膜とを含む。ブロッキング膜は、保護膜とキャパシタとの間に配置され、保護膜の形成時に生じる不純物である水素のキャパシタへの拡散を遮断し、保護膜はキャパシタの形成後の層間絶縁膜の形成工程、金属配線工程またはパッシベーション工程中に生じ、層間絶縁膜、金属配線またはパッシベーション膜内に封じ込まれた水素のキャパシタへの拡散を抑制する。また、ブロッキング膜と保護膜とを同一物質で構成し、ブロッキング膜を相対的に薄く形成することによって、カプセル化膜の形成工程が簡単になり、カプセル化膜の形成後の工程も簡単になる。
請求項（抜粋）：
下部電極、上部電極及び前記下部電極と前記上部電極との間に挿入された誘電膜を含むキャパシタと、前記キャパシタを取り囲み、熱処理された第1ブロッキング膜と前記熱処理された第1ブロッキング膜上形成される第1保護膜とを含み、かつ、前記第1保護膜と前記第1ブロッキング膜とは同一の物質からなる多重カプセル化膜とを含む半導体メモリ素子。
Fターム (18件)：
5F083FR02
, 5F083GA25
, 5F083JA14
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA56
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA19
, 5F083NA08
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR34
