積層構造及びその製造方法、キャパシタ構造並びに不揮発性メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172532
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022463
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】ヒロックの発生を可及的に抑制することができる積層構造及びその製造方法、その積層構造を用いたキャパシタ構造、及びそのキャパシタ構造を用いた不揮発性メモリを提供する。【解決手段】下地層2の上にバッファー層3を介して電極層4を設けた構造において、バッファー層3として、金属部分酸化物を用いる。金属部分酸化物として、Ti1-x Ox (x=0.2〜0.6)が好ましい。

請求項（抜粋）：

下地層上に金属部分酸化物で構成されるバッファー層を介して電極層が形成されていることを特徴とする積層構造。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/04 E , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

キャパシタを有する半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207033 出願人：富士通株式会社
高誘電率薄膜と半導体装置及びそれぞれの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-175549 出願人：富士通株式会社
半導体キャパシタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-295433 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション

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