特許

J-GLOBAL ID：200903008438551421

太陽電池およびその形成方法

発明者： 高橋 宏明 ,  福井 健次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360141
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164555
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板の内部に水素を充分に取り込むことができる太陽電池を提供する。【解決手段】 pn接合部を有するシリコン基板の一主面側を粗面状にすると共に、このシリコン基板の一主面側に窒化シリコンから成る反射防止膜を設け、このシリコン基板の両主面側に電極を形成した太陽電池であって、前記シリコン基板の一主面側の表面部近傍に結晶欠陥を形成する。

請求項（抜粋）：

pn接合部を有するシリコン基板の一主面側を粗面状にすると共に、このシリコン基板の一主面側に窒化シリコンから成る反射防止膜を設け、このシリコン基板の両主面側に電極を形成した太陽電池において、前記シリコン基板の一主面側の表面部近傍に結晶欠陥を形成したことを特徴とする太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 F ,  H01L 31/04 H

Fターム (7件)：

5F051AA02 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-116966   出願人：京セラ株式会社
• 光起電力装置の製造方法及び光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-128563   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭63-204775