特許
J-GLOBAL ID：200903097934079263
太陽電池素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116966
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307792
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 表面が微細な凹凸構造を有するシリコン基板上に形成される反射防止膜のパターニングが煩雑であったり、反射防止膜上に直接形成される電極強度が低下するという問題があった。【解決手段】 一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、このシリコン基板の表面側と裏面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の表面側に幅と高さがそれぞれ2μm以下の微細な突起を多数設けると共に、厚み50〜600Åの窒化シリコン膜から成る反射防止膜を形成し、この反射防止膜上に直接前記電極を形成した。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、このシリコン基板の表面側と裏面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の表面側に幅と高さがそれぞれ2μm以下の微細な突起を多数設けると共に、厚み50〜600Åの窒化シリコン膜から成る反射防止膜を形成し、この反射防止膜上に直接前記電極を形成したことを特徴とする太陽電池素子。
引用特許：
前のページに戻る
