特許

J-GLOBAL ID：200903008439038086

プラズマ処理装置

発明者： 小河原 米一
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052618
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252261
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 基板ステージの表面等への生成物の堆積を抑制することで、パーティクルの発生や処理の再現性低下等の問題を未然に防ぐ。【解決手段】 処理チャンバー1内のプラズマによって処理される位置に基板9を保持する基板ステージ2の表面等への生成物の堆積が、堆積抑制用ガス供給系25により抑制される。堆積抑制用ガスは、生成物が生じる際のプリカーサ濃度を低下させるものであり、基板ステージ2の基板保持面の各小突起28の間を通りながら基板ステージ2と基板9との間を流れ、周状突起29と基板9の周縁との隙間から基板ステージ2の側方に流出する。堆積抑制用ガスは、基板ステージ2と基板9との間で熱を伝える熱伝達用に兼用される。

請求項（抜粋）：

排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入系と、導入されたプロセスガスにエネルギーを与えて処理チャンバー内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、プラズマによって処理される位置に基板を保持する基板ステージとを備えたプラズマ処理装置であって、前記基板ステージの表面又は基板ステージの基板保持面の側方に設けられた部材の表面に生成物が堆積するのを抑制するための堆積抑制用ガスを供給する堆積抑制用ガス供給系が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 C ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 B ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A

Fターム (45件)：

4K030AA16 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA49 ,  4K057DA01 ,  4K057DA20 ,  4K057DD03 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DM02 ,  4K057DM05 ,  4K057DM08 ,  4K057DM16 ,  4K057DM17 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC08 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F045AA08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH14 ,  5F045EM05 ,  5F045EM07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 静電吸着電極装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-177072   出願人：松下電子工業株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232804   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-075374
  
• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-020262   出願人：アネルバ株式会社