特許
J-GLOBAL ID：200903008441177158
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-020536
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223969
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 低しきい値でかつ高特性温度を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 InP基板上に積層された、第1の導電性を有する第1の光導波層と、第1の導電性とは異なる導電性を有する第2の光導波層と、前記2つの光導波層に挟まれた活性層領域を有する半導体レーザにおいて、該活性層領域が少なくとも1つの圧縮性歪を有するInAsPからなる量子井戸層を有し、該歪量子井戸層がInAlGaAsからなる障壁層で挟まれている構成とする。
請求項（抜粋）：
InP基板上に積層された、第1の導電性を有する第1の光導波層と、第1の導電性とは異なる導電性を有する第2の光導波層と、前記2つの光導波層に挟まれた活性層領域を有する半導体レーザにおいて、該活性層領域が少なくとも1つの圧縮性歪を有するInAsPからなる量子井戸層を有して構成され、該歪量子井戸層がInAlGaAsからなる障壁層で挟まれていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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